Identifikacija izdelka
|
Postavka |
Specifikacija |
|
Ime izdelka |
G4 dušikova kislina |
|
Kategorija izdelka |
Polprevodniška elektronska mokra kemikalija |
|
Kemijsko ime |
Dušikova kislina |
|
Kemijska formula |
HNO₃ |
|
št. CAS |
7697-37-2 |
|
Molekulska teža |
63.01 |
|
Številka ZN |
2031 |
|
Ocena |
SEMI G4 Ultra-Razred elektronike visoke čistosti |
Pregled izdelka
Dušikova kislina G4 je močna oksidacijska anorganska kislina visoke{1}}čistote, posebej razvita za proizvodnjo polprevodniških rezin in napredne procese mikroelektronike. Ta izdelek, proizveden z več-stopenjsko destilacijo, ultra-finim čiščenjem in postopkom polnjenja čistih{6}}prostorov razreda 1000, strogo nadzoruje sledi kovinskih ionov, anionskih nečistoč in delcev v zraku ter je v celoti v skladu z mednarodnimi standardi za polprevodnike SEMI G4.
Služi kot kritična mokra kemikalija za čiščenje sprednjega-konca polprevodnikov in jedkanje kovin. Z močnimi oksidacijskimi in čistilnimi sposobnostmi učinkovito odstranjuje kovinske onesnaževalce, organske ostanke in površinske mikro-napake na silicijevih rezinah. Ultra{4}}nizka vsebnost nečistoč odpravlja tveganja kontaminacije procesa, stabilizira kakovost površine rezin in izboljšuje izkoristek proizvodnje za napredno izdelavo čipov.
Videz:Brezbarvna ali rahlo bledo rumena prozorna hlapljiva tekočina
Tehnične specifikacije (standard SEMI G4)
|
Preizkusni predmet |
Specifikacija |
|
Test HNO3 |
69,0 ~ 71,0 mas. % |
|
Videz |
Brezbarvna ali bledo rumena bistra prozorna tekočina |
|
Barva (APHA) |
Manjše ali enako 10 |
|
Gostota pri 20 stopinjah |
1,40 ~ 1,42 g/cm³ |
|
Ostanek izhlapevanja |
Manj ali enako 50 ppb |
|
Posamezne kovine v sledovih (Na, K, Ca, Mg, Fe, Cu, Al, Zn, Ni, Cr) |
Manj ali enako 10 ppb vsak |
|
Sulfat (SO₄²⁻) |
Manj ali enako 50 ppb |
|
klorid (Cl⁻) |
Manj ali enako 30 ppb |
|
Fosfat (PO₄³⁻) |
Manj ali enako 30 ppb |
|
Delci, večji ali enaki 0,2 μm |
Manj kot ali enako 100 kosov/ml |
Opomba:Vsi testni podatki temeljijo na-serijski COA (potrdilo o analizi).
Aplikacije (polprevodniški mokri postopek)
Čiščenje težkih kovin v obliki rezin:Učinkovito odstranite onesnaževalce težkih kovin, kot so železo, baker, cink in ostanke anorganskih nečistoč na površinah silicijevih rezin. Njegova močna oksidacijska lastnost zagotavlja temeljito čiščenje brez vnosa sekundarne kontaminacije, s čimer izpolnjuje ultra-visoke zahteve čistoče za napredne postopke rezin.
Jedkanje kovinskega tankega filma:Uporablja se za fino jedkanje in odstranjevanje različnih kovinskih tankih filmov v proizvodnji polprevodnikov, s stabilno hitrostjo jedkanja in odlično enakomernostjo, primerno za natančno obdelavo vzorcev mikroelektronskih naprav.
Formulacija sestavljene raztopine za mokro čiščenje:Uporablja se za pripravo mešanih kislinskih čistilnih raztopin za standardne postopke čiščenja polprevodnikov RCA, v sodelovanju z drugimi elektronskimi kemikalijami za celovito odstranjevanje organskih ostankov, delcev in ionskih nečistoč.
MEMS in napredna obdelava pakiranja:Primerno za površinsko čiščenje, odstranjevanje nečistoč in mikro-jedkanje naprav MEMS, polprevodniških senzorjev in komponent za pakiranje čipov, prilagajanje -natančnim standardom mikroelektronske proizvodnje.
Standard pakiranja in polnjenja
Vrsta pakiranja:Čisto-na korozijo-odporen zatesnjen sod iz HDPE, namenska kemična embalaža za dušikovo kislino
Skupna specifikacija:25 kg/30 kg majhen sod, 1000 kg korozijsko-odporna torba IBC
Okolje polnjenja:Čista soba razreda 1000, zaprt sistem ultra-čistega polnjenja, strogo odpravljanje sekundarne kontaminacije z delci in nečistočami
Standard tesnjenja:Proti-oksidacijska, proti-hlapna in neprepustna{2}}zatesnjena struktura, ki preprečuje poslabšanje izdelka in zunanje onesnaženje
Shranjevanje in rok uporabnosti
● Hraniti v hladnem, suhem, prezračevanem in namenskem skladišču za korozivne kemikalije, tesno zaprto, stran od neposredne sončne svetlobe, visoke temperature in virov toplote, da preprečite toplotno razgradnjo.
● Strogo izolirajte od vnetljivih snovi, reducentov, alkalnih kemikalij in organskih materialov, da preprečite burne oksidacijske reakcije in nevarnosti za varnost.
● Izogibajte se dolgotrajni-izpostavljenosti svetlobi, da preprečite razbarvanje in zmanjšanje čistosti zaradi fotolize.
● Rok uporabnosti:12 mesecev v standardnih zaprtih in temnih pogojih shranjevanja
Ravnanje in varnostni ukrepi
● Dušikova kislina je močno jedka in oksidira z hlapnostjo. Upravljavci morajo nositi popolno profesionalno osebno zaščitno opremo: rokavice-odporne na kisline, popolnoma zaprta očala za kemikalije, predpasnik-odporen proti koroziji in zaščitna delovna oblačila.
● Vse postopke ravnanja, redčenja in doziranja je treba izvajati v certificirani dimni napi; izogibajte se vdihavanju hlapnega strupenega plina in neposrednemu stiku s kožo, očmi in sluznicami.
● Med redčenjem počasi dodajajte dušikovo kislino v deionizirano vodo; nikoli ne vlivajte vode v koncentrirano dušikovo kislino, da preprečite brizganje tekočine in kemične opekline.
● V primeru nenamernega stika, razlitja ali puščanja takoj izvedite nujno odstranitev v skladu s standardnimi operativnimi postopki in smernicami varnostnega lista.
● Glejte uradni varnostni dokument za celotno klasifikacijo nevarnosti, transportne predpise in podrobne-ukrepe prve pomoči.
Zagotavljanje kakovosti
Vsaka serija dušikove kisline G4 je proizvedena, prečiščena in pregledana v strogem skladu z mednarodnimi specifikacijami industrije polprevodnikov SEMI G4. Vsako pošiljko spremlja-uradna potrdilo o originalnosti, specifično za serijo. Celoten postopek proizvodnje in polnjenja vključuje strog nadzor nad kontaminacijo čistih-sob in upravljanje,-odporno na-oksidacijo, kar zagotavlja ultra-visoko čistost, nizko vsebnost nečistoč in stabilno konsistenco serije, kar v celoti izpolnjuje stroge zahteve naprednih mokrih proizvodnih procesov polprevodnikov.
Priljubljena oznake: elektronske kemikalije g4 dušikova kislina (polprevodniška mokra kemikalija), Kitajska elektronske kemikalije g4 dušikova kislina (polprevodniška mokra kemikalija) proizvajalci, dobavitelji, tovarna

